Тепловое движение атомов в кристалле интерпретировано как некое быстро-осциллирующее поле напряжений, названное флуктуационным. С учетом положений физики твердого тела и статистической физики разработана теория такого поля. Эта теория применена к описанию движения дислокаций в случае, когда внешнее напряжение в кристалле меньше порогового уровня, необходимого для движения дислокаций. В этом случае движение дислокаций обеспечивается совместным действием внешнего и флуктуационного напряжений. Рассчитана длительность импульса ударного нагружения, при которой флуктуации напряжения, необходимые для движения дислокаций, не успевают произойти (с вероятностью 0,99). В результате материал остается недеформированным пластически, хотя при том же уровне напряжения, но более длительном нагружении он испытывает пластическую деформацию. Компенсировать этот эффект, то есть вызвать пластическое деформирование образца при коротком импульсе нагружения, можно повышением уровня напряжения в импульсе. Это свидетельствует о возраст