Определить возможности управления сверхбыстрой когерентной динамикой оптических возбуждений в квантовых ямах на основе узкозонных (GaAs/AlGaAs, InGaAs/GaAs, CdMgTe/CdTe) и широкозонных (ZnMgO/ZnO, InGaN/GaN) полупроводниковых структур посредством поляризации и площади лазерных импульсов, надбарьерной подсветки и внешнего магнитного поля.
Краткое название
__
Акроним
RFBR_mol_a_2018 - 2
Статус
Завершено
Эффективные даты начала/конца
6/08/19 → 10/03/20
Области исследований
Нелинейная оптика, фотонное эхо, четырехволновое смешение, квантовые ямы, оптическая память
