Определить возможности управления сверхбыстрой когерентной динамикой оптических возбуждений в квантовых ямах на основе узкозонных (GaAs/AlGaAs, InGaAs/GaAs, CdMgTe/CdTe) и широкозонных (ZnMgO/ZnO, InGaN/GaN) полупроводниковых структур посредством поляризации и площади лазерных импульсов, надбарьерной подсветки и внешнего магнитного поля.