121 - 130 из 181Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2003

  2. New technology for the control of narrow-gap semiconductors

    Antoniou, I., Bozhevolnov, V., Melnikov, Y. & Yafyasov, A., 1 июл 2003, в: Chaos, Solitons and Fractals. 17, 2-3, стр. 219-223 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. The electrophysical properties of the surface layer of the (TlBiSe2)1-x -(TlBiS2)x mixed crystals

    Anagnostopoulos, A., Bogevolnov, V., Ivankiv, I., Shevchenko, O., Perepelkin, A. & Yafyasov, A., 1 июл 2003, в: Chaos, Solitons and Fractals. 17, 2-3, стр. 225-229 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Rashba effect in inversion and accumulation InAs layers

    Radantsev, V. F., Ivankiv, I. M. & Yafyasov, A. M., 1 фев 2003, в: Semiconductors. 37, 2, стр. 200-206 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Resonance quantum switch: Search of working parameters

    Bagraev, N. T., Pavlov, B. S. & Yafyasov, A. M., 1 янв 2003, SISPAD 2003 - 2003 IEEE International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., стр. 275-278 4 стр. 1233690. (International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD; том 2003-January).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › Рецензирование

  6. Resonance quantum with: search of the working parameters.

    Яфясов, А. А. М., 2003.

    Результаты исследований: Материалы конференций › тезисы › Рецензирование

  7. Физика поверхности полупроводниковых электродов.

    Коноров, П. П. & Яфясов, А. М., 2003, Издательский Центр «Академия».

    Результаты исследований: Книги, отчёты, сборники › книга, в т.ч. монография, учебник › Рецензирование

  8. 2002

  9. Rashba splitting in MIS structures HgCdTe

    Radantsev, V. F. & Yafyasov, A. M., 1 сен 2002, в: Journal of Experimental and Theoretical Physics. 95, 3, стр. 491-501 11 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. The electrophysical properties of the surface layer of the semiconductor TlBiSe2

    Anagnostopoulos, A., Bogevolnov, V. B., Ivankiv, I. M., Shevchenko, O. Y., Perepelkin, A. D. & Yafyasov, A. M., 29 авг 2002, в: Physica Status Solidi (B) Basic Research. 231, 2, стр. 451-456 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Determination of the matrix element of the quasi-momentum operator in the zero-gap semiconductor HgSe by the field-effect method in electrolyte

    Shevchenko, O. Y., Radantsev, V. F., Yafyasov, A. M., Bozhevol’nov, V. B., Ivankiv, I. M. & Perepelkin, A. D., 1 апр 2002, в: Semiconductors. 36, 4, стр. 390-393 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. Field effect in a system consisting of electrolyte and (TlBiSe2)1-x-(TlBiS2)x solid solution

    Shevchenko, O. Y., Yafyasov, A. M., Bozhevol'nov, V. B., Ivankiv, I. M. & Perepelkin, A. D., 1 апр 2002, в: Semiconductors. 36, 4, стр. 420-423 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1...9 10 11 12 13 14 15 16 ...19 Далее

ID: 152522