11 - 15 из 15Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2022

  2. Tapering-free monocrystalline Ge nanowires synthesized via plasma-assisted VLS using in and Sn catalysts

    Tang, J., Wang, J., Maurice, J. L., Chen, W., Foldyna, M., Yu, L., Leshchenko, E. D., Dubrovskii, V. G. & Cabarrocas, P. R. I., 1 окт 2022, в: Nanotechnology. 33, 40, 405602.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Критерий селективного роста III-V и III-N нитевидных нанокристаллов на маскированных подложках

    Дубровский, В. Г. & Лещенко, Е. Д., 2022, в: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 48, 22, стр. 7

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Моделирование профиля состава осевой гетероструктуры InSb/GaInSb/InSb в нитевидных нанокристаллах

    Лещенко, Е. Д. & Дубровский, В. Г., 2022, в: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 48, 19, стр. 20-23

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. 2016

  6. Self-equilibration of the radius distribution in self-catalyzed GaAs nanowires

    Leshchenko, E. D., Turchina, M. A. & Dubrovskii, V. G., 2016, в: Journal of Physics: Conference Series.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Начальный этап автокаталитического роста нитевидных нанокристаллов GaAs

    Лещенко, Е. Д., Турчина, М. А. & Дубровский, В. Г., 2016, в: Technical Physics Letters.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

Назад 1 2 Далее

ID: 202624