21 - 30 из 35Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2020

  2. Highly Ordered and Polycrystalline Graphene on Co(0001) Intercalated by Oxygen

    Shevelev, V. O., Bokai, K. A., Makarova, A. A., Marchenko, D., Vilkov, O. Y., Mikhailovskii, V. Y., Vyalikh, D. V. & Usachov, D. Y., 6 авг 2020, в: Journal of Physical Chemistry C. 124, 31, стр. 17103-17110 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Hybrid h-BN-Graphene Monolayer with B-C Boundaries on a Lattice-Matched Surface

    Bokai, K. A., Tarasov, A. V., Shevelev, V. O., Vilkov, O. Y., Makarova, A. A., Marchenko, D., Petukhov, A. E., Muntwiler, M., Fedorov, A. V., Voroshnin, V. Y., Yashina, L. V., Laubschat, C., Vyalikh, D. V. & Usachov, D. Y., 11 фев 2020, в: Chemistry of Materials. 32, 3, стр. 1172-1181 10 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. 2019

  5. Raman spectroscopy estimation of the carrier concentration and the value of strain in monolayer graphene films grown on 4H-SiC

    Eliseyev, I. A., Davydov, V. Y., Smirnov, A. N., Nestoklon, M. O., Dementev, P. A., Lebedev, S. P., Lebedev, A. A., Bokai, K. A. & Usachov, D. Y., 11 дек 2019, в: Journal of Physics: Conference Series. 1400, 5, 055037.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование

  6. Optical Estimation of the Carrier Concentration and the Value of Strain in Monolayer Graphene Grown on 4H-SiC

    Eliseyev, I. A., Davydov, V. Y., Smirnov, A. N., Nestoklon, M. O., Dementev, P. A., Lebedev, S. P., Lebedev, A. A., Zubov, A. V., Mathew, S., Pezoldt, J., Bokai, K. A. & Usachov, D. Y., 1 дек 2019, в: Semiconductors. 53, 14, стр. 1904-1909 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Oxygen Intercalation and Oxidation of Atomically Thin h-BN Grown on a Curved Ni Crystal

    Makarova, A. A., Fernandez, L., Usachov, D. Y., Fedorov, A. A., Bokai, K. A., Smirnov, D. A., Laubschat, C., Vyalikh, D. V., Schiller, F. & Ortega, J. E., 1 окт 2019, в: Journal of Physical Chemistry C. 123, 1, стр. 593-602 10 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Magnetic and Electronic Properties of Gd-Doped Topological Insulator Bi1.09Gd0.06Sb0.85Te3

    Filnov, S. O., Surnin, Y. A., Koroleva, A. V., Klimovskikh, I. I., Estyunin, D. A., Varykhalov, A. Y., Bokai, K. A., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Golyashov, V. A., Shevchenko, E. V. & Shikin, A. V., 1 сен 2019, в: Journal of Experimental and Theoretical Physics. 129, 3, стр. 404–412 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Oxidation of h-BN on strongly and weakly interacting metal surfaces

    Shevelev, V. O., Bokai, K. A., Vilkov, O. Y., Makarova, A. A. & Usachov, D. Y., 7 июн 2019, в: Nanotechnology. 30, 23, 9 стр., 234004.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Decoding the structure of interfaces and impurities in 2D materials by photoelectron holography

    Usachov, D. Y., Tarasov, A. V., Matsui, F., Muntwiler, M., Bokai, K. A., Shevelev, V. O., Vilkov, O. Y., Kuznetsov, M. V., Yashina, L. V., Laubschat, C., Cossaro, A., Floreano, L., Verdini, A. & Vyalikh, D. V., 2019, в: 2D Materials. 6, 4, 045046.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. 2018

  12. High Quality Graphene Grown by Sublimation on 4H-SiC (0001)

    Lebedev, A. A., Davydov, V. Y., Usachov, D. Y., Lebedev, S. P., Smirnov, A. N., Eliseyev, I. A., Dunaevskiy, M. S., Gushchina, E. V., Bokai, K. A. & Pezoldt, J., 1 дек 2018, в: Semiconductors. 52, 14, стр. 1882-1885 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  13. Site- and spin-dependent coupling at the highly ordered h-BN/Co(0001) interface

    Усачев, Д. Ю., Тарасов, А. В., Бокай, К. А., Шевелев, В. О., Вилков, О. Ю., Петухов, А. Е., Рыбкин, А. Г., Ogorodnikov, I. I., Kuznetsov, M. V., Muntwiler, M., Matsui, F., Yashina, L. V., Laubschat, C. & Vyalikh, D. V., 26 ноя 2018, в: Physical Review B. 98, 19, 10 стр., 195438.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 Далее

ID: 145085