1 - 5 из 5Размер страницы: 10
Сортировать по:: Дата начала
  1. 2026

  2. Моделирование образования дефектов, их реакций, и расчет уровня Ферми в гексагональном нитриде бора

    Искандер Ильдарович Янибеков (Докладчик)

    28 фев 2026

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление со стендовым докладом

  3. 2025

  4. Расчет энергий образования, вероятностей переходов и температур отжига для некоторых собственных дефектов в гексагональном нитриде бора

    Искандер Ильдарович Янибеков (Докладчик)

    10 мар 2025

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление со стендовым докладом

  5. 2024

  6. Расчет энергии образования и вероятностей трансформации некоторых собственных дефектов в гексагональном нитриде бора

    Искандер Ильдарович Янибеков (Докладчик)

    3 окт 2024

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление с устным докладом

  7. 2020

  8. Long-living dark optical coherence from excitons in InGaAs/GaAs quantum well revealed by photon echo

    Искандер Ильдарович Янибеков (Докладчик)

    10 ноя 2020 → 12 ноя 2020

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление с устным докладом

  9. Критический режим фотонного эха от экситонов в квантовой яме InGaAs/GaAs в слабом магнитном поле

    Искандер Ильдарович Янибеков (Докладчик)

    19 окт 2020 → 23 окт 2020

    Деятельность: Выступление на научной конференции › выступление с устным докладом

ID: 18611057