Результаты

1. Comparative study of nanostructured ultra-thin AlGaN/GaN heterostructures grown on hybrid compliant SiC/porSi substrates by molecular beam epitaxy with plasma nitrogen activation

   Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

2. Effect of Pretreatment of the Silicon Substrate on the Properties of GaN Films Grown by Chloride–Hydride Vapor-Phase Epitaxy

   Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

3. Effect of combination of etching modes on the design, structural and optical properties of the compliant substrates based on porous silicon

   Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Просмотреть все (21) »