1. 2026
  2. Switchable external field response properties induced by ferroelectric polarization in α-In2Se3/HfS2 heterostructures

    Guo, R., Liu, Y. & Zhang, X., 1 апр 2026, в: Materials Science in Semiconductor Processing. 205, 110396.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 107035717