1111 - 1120 из 1 674Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2012

  2. Characterization of High-k Dielectrics Internal Structure by X-Ray Spectroscopy and Reflectometry: New Approaches to Interlayer Identification and Analysis (Chapter 7)

    Filatova, E. O., Kozhevnikov, I. V. & Sokolov, A. A., 2012, High –k Gate Dielectrics for CMOS Technology / Ed. by Gang He, Zhaoqi Sun. Wiley-Blackwell, стр. 558, 225-271

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная

  3. Controllable oxidation of h-BN monolayer on Ir(111) studied by core-level spectroscopies

    Simonov, K. A., Vinogradov, N. A., M.L., N., Vinogradov, A. S., M rtensson, N. & Preobrajenski, A. B., 2012, в: Surface Science. 606, 3-4, стр. 564–570

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

  4. Controllable p-doping of graphene on Ir(111) by chlorination with FeCl3

    Vinogradov, N. A., Simonov, K. A., Generalov, A. V., Vinogradov, A. S., Vyalikh, D. V., C, L., Martensson, N. & Preobrajenski, AB., 2012, в: Journal of Physics: Condensed Matter. 24, 31, стр. 314202_1-8

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

  5. DETONATION DIAMOND-SiO2 ELECTRODES: Электроды на основе дитанацианный алмаз-SiO2

    Bozhevolnov, V. B., Chernov, V. E. & Yafyasov, A. M., 2012, Материалы "XI Международный симпозиум по получению взрывом новых материалов: наука, технология, бизнес и инновации (EPNM-2012)". стр. 23-25

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике › научная › Рецензирование

  6. Detonation diamond-SiO2 electrodes. Explosive production of new materials: Science, Tecnology, Busness, and Innovations

    Яфясов, А. А. М., 2012.

    Результаты исследований: Материалы конференций › тезисы › Рецензирование

  7. Effect of Nitrogen-Containing Substituents on Fragmentation of Perylene Derivatives under Laser Irradiation

    Komolov, A. S., Komolov, S. A., Lazneva, E. F. & Turiev, A. M., 2012, в: Technical Physics Letters. 38, 1, стр. 1-3

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

  8. Electron-excited luminescence of SiO2 layers on silicon

    Baraban, A. P., Dmitriev, V. A., Petrov, Y. V. & Timofeeva, K. A., 2012, в: Physics of the Solid State. 54, 6, стр. 1149-1152

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

  9. Electronic structure of thin Ta2O5 films on silicon

    Baraban, A. P., Drozd, V. E., Nikiforova, I. O., Dmitriev, V. A., Prokof’ev, V. A., Gadzhala, A. A. & Matveeva, O. P., 2012, в: ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. СЕРИЯ 4: ФИЗИКА, ХИМИЯ. 3, стр. 74-79

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Electronic structure of Ti–Ni alloys: An XPS and NEXAFS study

    Senkovskiy, B. V., Usachov, D. Y., Fedorov, A. V., Vilkov, O. Y., Shelyakov, A. V. & Adamchuk, V. K., 2012, в: Journal of Alloys and Compounds. 537, стр. 190–196

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

  11. Electкodeposition of CdTe/CdHgTe heterostructures obtained by field effect in semiconductor – electrolyte interface.

    Яфясов, А. А. М., 2012.

    Результаты исследований: Материалы конференций › тезисы › Рецензирование

Назад 1...108 109 110 111 112 113 114 115 ...168 Далее

ID: 31041