Пресса/СМИ: интервью
физики СПбГУ совместно с коллегами из других научно-образовательных организаций Петербурга, изучили механизм формирования трехмерных структур на перспективном полупроводниковом сплаве индий-галий-нитрид. Исследование поможет разработке нового поколения непланарных оптоэлектронных устройств в области электроники и связи.
| Заголовок | В СПбГУ объяснили механизм формирования материалов для нового поколения оптоэлектронных устройств |
|---|---|
| Степень признания | Международная |
| Имя средства информации/СМИ | Naked Science |
| Тип подачи информации | Веб |
| Страна/Tерритория | Российская Федерация |
| Дата публикации | 26/10/24 |
| Описание | Физики СПбГУ совместно с коллегами из других научно-образовательных организаций Петербурга, изучили механизм формирования трехмерных структур на перспективном полупроводниковом сплаве индий-галий-нитрид. Исследование поможет разработке нового поколения непланарных оптоэлектронных устройств в области электроники и связи. |
| Персоны | Родион Романович Резник |
ID: 126351061