Пресса/СМИ: интервью
физики СПбГУ совместно с коллегами из других научно-образовательных организаций Петербурга, изучили механизм формирования трехмерных структур на перспективном полупроводниковом сплаве индий-галий-нитрид. Исследование поможет разработке нового поколения непланарных оптоэлектронных устройств в области электроники и связи.
Заголовок | В СПбГУ объяснили механизм формирования материалов для нового поколения оптоэлектронных устройств |
---|---|
Степень признания | Международная |
Имя средства информации/СМИ | Naked Science |
Тип подачи информации | Веб |
Страна/Tерритория | Российская Федерация |
Дата публикации | 26/10/24 |
Описание | Физики СПбГУ совместно с коллегами из других научно-образовательных организаций Петербурга, изучили механизм формирования трехмерных структур на перспективном полупроводниковом сплаве индий-галий-нитрид. Исследование поможет разработке нового поколения непланарных оптоэлектронных устройств в области электроники и связи. |
Персоны | Родион Романович Резник |
ID: 126351061