физики СПбГУ совместно с коллегами из других научно-образовательных организаций Петербурга, изучили механизм формирования трехмерных структур на перспективном полупроводниковом сплаве индий-галий-нитрид. Исследование поможет разработке нового поколения непланарных оптоэлектронных устройств в области электроники и связи.

Ссылки

ЗаголовокВ СПбГУ объяснили механизм формирования материалов для нового поколения оптоэлектронных устройств
Степень признанияМеждународная
Имя средства информации/СМИNaked Science
Тип подачи информацииВеб
Страна/TерриторияРоссийская Федерация
Дата публикации26/10/24
ОписаниеФизики СПбГУ совместно с коллегами из других научно-образовательных организаций Петербурга, изучили механизм формирования трехмерных структур на перспективном полупроводниковом сплаве индий-галий-нитрид. Исследование поможет разработке нового поколения непланарных оптоэлектронных устройств в области электроники и связи.
ПерсоныРодион Романович Резник

Описание

физики СПбГУ совместно с коллегами из других научно-образовательных организаций Петербурга, изучили механизм формирования трехмерных структур на перспективном полупроводниковом сплаве индий-галий-нитрид. Исследование поможет разработке нового поколения непланарных оптоэлектронных устройств в области электроники и связи.

Период26 окт 2024

ID: 126351061