физики СПбГУ совместно с коллегами из других научно-образовательных организаций Петербурга, изучили механизм формирования трехмерных структур на перспективном полупроводниковом сплаве индий-галий-нитрид. Исследование поможет разработке нового поколения непланарных оптоэлектронных устройств в области электроники и связи.

References

TitleВ СПбГУ объяснили механизм формирования материалов для нового поколения оптоэлектронных устройств
Degree of recognitionInternational
Media name/outletNaked Science
Media typeWeb
Country/TerritoryRussian Federation
Date26/10/24
PersonsРодион Романович Резник

Description

физики СПбГУ совместно с коллегами из других научно-образовательных организаций Петербурга, изучили механизм формирования трехмерных структур на перспективном полупроводниковом сплаве индий-галий-нитрид. Исследование поможет разработке нового поколения непланарных оптоэлектронных устройств в области электроники и связи.

Period26 Oct 2024

ID: 126351061