Пресса/СМИ: интервью
Физики Санкт‑Петербургского государственного университета с коллегами из других научно‑образовательных организаций Петербурга изучили механизм формирования трехмерных структур на перспективном полупроводниковом сплаве индия‑галлия нитрид. Исследование поможет разработке нового поколения непланарных оптоэлектронных устройств в области электроники и связи.
| Заголовок | Ученые СПбГУ объяснили механизм формирования материалов для нового поколения оптоэлектронных устройств |
|---|---|
| Степень признания | Международная |
| Имя средства информации/СМИ | Сайт СПбГУ |
| Тип подачи информации | Веб |
| Страна/Tерритория | Российская Федерация |
| Дата публикации | 26/08/24 |
| Описание | Физики Санкт‑Петербургского государственного университета с коллегами из других научно‑образовательных организаций Петербурга изучили механизм формирования трехмерных структур на перспективном полупроводниковом сплаве индия‑галлия нитрид. Исследование поможет разработке нового поколения непланарных оптоэлектронных устройств в области электроники и связи. |
| Персоны | Родион Романович Резник |
ID: 126351015