Press/Media: Interview
Физики Санкт‑Петербургского государственного университета с коллегами из других научно‑образовательных организаций Петербурга изучили механизм формирования трехмерных структур на перспективном полупроводниковом сплаве индия‑галлия нитрид. Исследование поможет разработке нового поколения непланарных оптоэлектронных устройств в области электроники и связи.
| Title | Ученые СПбГУ объяснили механизм формирования материалов для нового поколения оптоэлектронных устройств |
|---|---|
| Degree of recognition | International |
| Media name/outlet | Сайт СПбГУ |
| Media type | Web |
| Country/Territory | Russian Federation |
| Date | 26/08/24 |
| Persons | Родион Романович Резник |
ID: 126351015