Методами ультрамягкой рентгеновской спектроскопии с применением синхротронного излучения исследованы пористые слои кремния с различными типами проводимости. Определена эффективная толщина оксида на поверхности кремниевого скелетона и изучена структура интерфейса на границе кремний/оксид кремния. Показано, что тонкая структура спектров поглощения Si 2p кремниевого скелета совпадает с тонкой структурой спектра кристаллического кремния, а толщина оксидного слоя на поверхности пористого кремния 1,8-2,4 нм для различных образцов. Параметр x в стехиометрической формуле SiOх оксида кремния находится в диапазоне 1,66–1,82.