Standard

Modeling of interfacial profile of axial GaAs/ AlAs nanowire heterostructures. / Лещенко, Егор Дмитриевич; Дубровский, Владимир Германович.

In: НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ВЕДОМОСТИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ПОЛИТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ, Vol. 16, No. 1.3, 2023, p. 96-100.

Research output: Contribution to journal › Conference article › peer-review

Harvard

Лещенко, ЕД & Дубровский, ВГ 2023, 'Modeling of interfacial profile of axial GaAs/ AlAs nanowire heterostructures', НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ВЕДОМОСТИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ПОЛИТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ, vol. 16, no. 1.3, pp. 96-100. https://doi.org/10.18721/JPM.161.316

APA

Лещенко, Е. Д., & Дубровский, В. Г. (2023). Modeling of interfacial profile of axial GaAs/ AlAs nanowire heterostructures. НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ВЕДОМОСТИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ПОЛИТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ, 16(1.3), 96-100. https://doi.org/10.18721/JPM.161.316

Vancouver

Лещенко ЕД, Дубровский ВГ. Modeling of interfacial profile of axial GaAs/ AlAs nanowire heterostructures. НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ВЕДОМОСТИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ПОЛИТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ. 2023;16(1.3):96-100. https://doi.org/10.18721/JPM.161.316

Author

Лещенко, Егор Дмитриевич ; Дубровский, Владимир Германович. / Modeling of interfacial profile of axial GaAs/ AlAs nanowire heterostructures. In: НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ВЕДОМОСТИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ПОЛИТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ. 2023 ; Vol. 16, No. 1.3. pp. 96-100.

BibTeX

@article{1defe6940d084af590186ff38f9089ee,
title = "Modeling of interfacial profile of axial GaAs/ AlAs nanowire heterostructures",
author = "Лещенко, {Егор Дмитриевич} and Дубровский, {Владимир Германович}",
year = "2023",
doi = "10.18721/JPM.161.316",
language = "русский",
volume = "16",
pages = "96--100",
journal = "НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ВЕДОМОСТИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ПОЛИТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ",
issn = "2304-9782",
publisher = "Издательство Санкт-Петербургского Государственного Политехнического Университета",
number = "1.3",
note = "XXIV всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике ; Conference date: 28-11-2022 Through 02-12-2022",
url = "https://www.semicond.ru/conf2022, https://www.semicond.ru/index.php/conf2022",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Modeling of interfacial profile of axial GaAs/ AlAs nanowire heterostructures

AU - Лещенко, Егор Дмитриевич

AU - Дубровский, Владимир Германович

N1 - Conference code: 24

PY - 2023

Y1 - 2023

U2 - 10.18721/JPM.161.316

DO - 10.18721/JPM.161.316

M3 - статья в журнале по материалам конференции

VL - 16

SP - 96

EP - 100

JO - НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ВЕДОМОСТИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ПОЛИТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ

JF - НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ВЕДОМОСТИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ПОЛИТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ

SN - 2304-9782

IS - 1.3

T2 - XXIV всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике

Y2 - 28 November 2022 through 2 December 2022

ER -

ID: 108744638