Открытие двумерных материалов предоставляет беспрецедентные возможности для создания новых материалов с заданными свойствами. Во многих случаях в основе проектирования лежит тот или иной эффект близости, т.е. наноразмерное проникновение электронных корреляций из одного материала в другой. В тонких Ван-дер-Ваальсовых (ВдВ) гетероструктурах области близости занимают всю систему. Здесь мы показываем, что физика магнитных и сверхпроводящих эффектов близости в двумерных ВдВ гетероструктурах сверхпроводник/ферромагнетик определяется эффектами интерфейсной гибридизации электронных спектров обоих материалов. Степень гибридизации можно регулировать при помощи гейтинга, что позволяет достичь высокой степени управляемости эффекта близости. В частности, мы показываем, что это позволяет электрически включать и выключать сверхпроводимость в таких структурах, а также контролировать величину и знак зеемановского расщепления сверхпроводящих спектров, открывая интересные возможности для спинтроники и спин-калоритроники.