Research output: Contribution to journal › Article
Effect of impact loading duration on yield strength. / Morozov, N. F.; Shikhobalov, L. S.
In: Doklady Physics, Vol. 53, No. 10, 2008, p. 529-532.Research output: Contribution to journal › Article
}
TY - JOUR
T1 - Effect of impact loading duration on yield strength
AU - Morozov, N. F.
AU - Shikhobalov, L. S.
PY - 2008
Y1 - 2008
N2 - Тепловое движение атомов в кристалле интерпретировано как некое быстроосциллирующее поле напряжений, названное флуктуационным. С учетом положений физики твердого тела разработана теория такого поля. Эта теория применена к описанию движения дислокаций в случае, когда внешнее напряжение в кристалле меньше порогового уровня, необходимого для движения дислокаций. В этом случае движение дислокаций обеспечивается совместным действием внешнего и флуктуационного напряжений. Показано, что при ударном нагружении кристалла с длительностью, меньшей 10^(–5) – 10^(–6) с, и с напряжением, имеющим порядок динамического предела текучести кристалла, флуктуации напряжения, необходимые для движения дислокаций, не успевают произойти (с вероятностью, близкой к единице). В результате, в данном случае кристалл остается недеформированным пластически, несмотря на то, что при более длительном нагружении с тем же уровнем напряжения он будет испытывать пластическую деформацию. Компенсировать этот эффект, то есть вызвать пластическое дефо
AB - Тепловое движение атомов в кристалле интерпретировано как некое быстроосциллирующее поле напряжений, названное флуктуационным. С учетом положений физики твердого тела разработана теория такого поля. Эта теория применена к описанию движения дислокаций в случае, когда внешнее напряжение в кристалле меньше порогового уровня, необходимого для движения дислокаций. В этом случае движение дислокаций обеспечивается совместным действием внешнего и флуктуационного напряжений. Показано, что при ударном нагружении кристалла с длительностью, меньшей 10^(–5) – 10^(–6) с, и с напряжением, имеющим порядок динамического предела текучести кристалла, флуктуации напряжения, необходимые для движения дислокаций, не успевают произойти (с вероятностью, близкой к единице). В результате, в данном случае кристалл остается недеформированным пластически, несмотря на то, что при более длительном нагружении с тем же уровнем напряжения он будет испытывать пластическую деформацию. Компенсировать этот эффект, то есть вызвать пластическое дефо
M3 - Article
VL - 53
SP - 529
EP - 532
JO - Doklady Physics
JF - Doklady Physics
SN - 1028-3358
IS - 10
ER -
ID: 5231225