Standard

Effect of impact loading duration on yield strength. / Morozov, N. F.; Shikhobalov, L. S.

In: Doklady Physics, Vol. 53, No. 10, 2008, p. 529-532.

Research output: Contribution to journalArticle

Harvard

APA

Vancouver

Author

Morozov, N. F. ; Shikhobalov, L. S. / Effect of impact loading duration on yield strength. In: Doklady Physics. 2008 ; Vol. 53, No. 10. pp. 529-532.

BibTeX

@article{07dbc7a5d6774845be6e42d33c2c1061,
title = "Effect of impact loading duration on yield strength",
abstract = "Тепловое движение атомов в кристалле интерпретировано как некое быстроосциллирующее поле напряжений, названное флуктуационным. С учетом положений физики твердого тела разработана теория такого поля. Эта теория применена к описанию движения дислокаций в случае, когда внешнее напряжение в кристалле меньше порогового уровня, необходимого для движения дислокаций. В этом случае движение дислокаций обеспечивается совместным действием внешнего и флуктуационного напряжений. Показано, что при ударном нагружении кристалла с длительностью, меньшей 10^(–5) – 10^(–6) с, и с напряжением, имеющим порядок динамического предела текучести кристалла, флуктуации напряжения, необходимые для движения дислокаций, не успевают произойти (с вероятностью, близкой к единице). В результате, в данном случае кристалл остается недеформированным пластически, несмотря на то, что при более длительном нагружении с тем же уровнем напряжения он будет испытывать пластическую деформацию. Компенсировать этот эффект, то есть вызвать пластическое дефо",
author = "Morozov, {N. F.} and Shikhobalov, {L. S.}",
year = "2008",
language = "English",
volume = "53",
pages = "529--532",
journal = "Doklady Physics",
issn = "1028-3358",
publisher = "МАИК {"}Наука/Интерпериодика{"}",
number = "10",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Effect of impact loading duration on yield strength

AU - Morozov, N. F.

AU - Shikhobalov, L. S.

PY - 2008

Y1 - 2008

N2 - Тепловое движение атомов в кристалле интерпретировано как некое быстроосциллирующее поле напряжений, названное флуктуационным. С учетом положений физики твердого тела разработана теория такого поля. Эта теория применена к описанию движения дислокаций в случае, когда внешнее напряжение в кристалле меньше порогового уровня, необходимого для движения дислокаций. В этом случае движение дислокаций обеспечивается совместным действием внешнего и флуктуационного напряжений. Показано, что при ударном нагружении кристалла с длительностью, меньшей 10^(–5) – 10^(–6) с, и с напряжением, имеющим порядок динамического предела текучести кристалла, флуктуации напряжения, необходимые для движения дислокаций, не успевают произойти (с вероятностью, близкой к единице). В результате, в данном случае кристалл остается недеформированным пластически, несмотря на то, что при более длительном нагружении с тем же уровнем напряжения он будет испытывать пластическую деформацию. Компенсировать этот эффект, то есть вызвать пластическое дефо

AB - Тепловое движение атомов в кристалле интерпретировано как некое быстроосциллирующее поле напряжений, названное флуктуационным. С учетом положений физики твердого тела разработана теория такого поля. Эта теория применена к описанию движения дислокаций в случае, когда внешнее напряжение в кристалле меньше порогового уровня, необходимого для движения дислокаций. В этом случае движение дислокаций обеспечивается совместным действием внешнего и флуктуационного напряжений. Показано, что при ударном нагружении кристалла с длительностью, меньшей 10^(–5) – 10^(–6) с, и с напряжением, имеющим порядок динамического предела текучести кристалла, флуктуации напряжения, необходимые для движения дислокаций, не успевают произойти (с вероятностью, близкой к единице). В результате, в данном случае кристалл остается недеформированным пластически, несмотря на то, что при более длительном нагружении с тем же уровнем напряжения он будет испытывать пластическую деформацию. Компенсировать этот эффект, то есть вызвать пластическое дефо

M3 - Article

VL - 53

SP - 529

EP - 532

JO - Doklady Physics

JF - Doklady Physics

SN - 1028-3358

IS - 10

ER -

ID: 5231225