DOI

Translated title of the contributionДинамика электронно-ядерной спиновой системы в эпитаксиальных слоях GaAs:Mn
Original languageEnglish
Pages (from-to)31-35
Number of pages6
JournalНаучно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки
Volume17
Issue number1.1
DOIs
StatePublished - 1 May 2024
Event25 Всероссийская молодежная конференция "Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника" - Санкт-Петербург, Russian Federation
Duration: 27 Nov 2023 → 1 Dec 2023

    Research areas

  • Hanle effect, gallium arsenide, optical orientation, polarization, semiconductors, spin, spin dynamics, spin relaxation

ID: 116418551