Самоупорядоченные квантовые точки (In,Mn)As синтезированы с помощью метода молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs (001). Результаты измерений, полученных с помощью просвечивающей электронной микроскопии, показали, что легирование Mn центральной части квантовых точек не приводит к образованию структурных дефектов. Изучены оптические свойства образцов, в том числе во внешнем магнитном поле.