Standard

Фотолюминесценция гетероструктур CdTe/ZnTe с номинальными толщинами слоев CdTe от 1 до 8 монослоев, выращенных методом атомного наслаивания. / Философов, Николай Глебович; Серов, Алексей Юрьевич; Агекян, Вадим Фадеевич; Karczewski, Grzegorz.

In: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, Vol. 62, No. 6, 2020, p. 937-940.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Harvard

Философов, НГ, Серов, АЮ, Агекян, ВФ & Karczewski, G 2020, 'Фотолюминесценция гетероструктур CdTe/ZnTe с номинальными толщинами слоев CdTe от 1 до 8 монослоев, выращенных методом атомного наслаивания', ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, vol. 62, no. 6, pp. 937-940. https://doi.org/10.21883/FTT.2020.06.49352.011

APA

Философов, Н. Г., Серов, А. Ю., Агекян, В. Ф., & Karczewski, G. (2020). Фотолюминесценция гетероструктур CdTe/ZnTe с номинальными толщинами слоев CdTe от 1 до 8 монослоев, выращенных методом атомного наслаивания. ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, 62(6), 937-940. https://doi.org/10.21883/FTT.2020.06.49352.011

Vancouver

Философов НГ, Серов АЮ, Агекян ВФ, Karczewski G. Фотолюминесценция гетероструктур CdTe/ZnTe с номинальными толщинами слоев CdTe от 1 до 8 монослоев, выращенных методом атомного наслаивания. ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 2020;62(6):937-940. https://doi.org/10.21883/FTT.2020.06.49352.011

Author

Философов, Николай Глебович ; Серов, Алексей Юрьевич ; Агекян, Вадим Фадеевич ; Karczewski, Grzegorz. / Фотолюминесценция гетероструктур CdTe/ZnTe с номинальными толщинами слоев CdTe от 1 до 8 монослоев, выращенных методом атомного наслаивания. In: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 2020 ; Vol. 62, No. 6. pp. 937-940.

BibTeX

@article{665d7ba9a4c64bc08f15c05e141f9d30,
title = "Фотолюминесценция гетероструктур CdTe/ZnTe с номинальными толщинами слоев CdTe от 1 до 8 монослоев, выращенных методом атомного наслаивания",
abstract = "Исследована люминесценция слоев CdTe с номинальной толщиной 1, 2, 4 и 8 монослоев (MC), выращенных методом атомного наслаивания в матрице ZnTe. Показано, что слои толщиной 1 и 2 МС проявляют свойства однородных слоев, в то время как слои с толщиной 4 и 8 МС являются планарными массивами квантовых точек (КТ). Размеры КТ и их размерная дисперсия возрастают при увеличении номинальной толщины слоя CdTe. Форма спектров возбуждения люминесценции слоя CdTe в этих образцах сильно различается. Показано, что в зависимости от энергетического расстояния между экситонными уровнями слоев CdTe и матрицы ZnTe сильно изменяется соотношение вкладов в перенос энергии экситона ZnTe и носителей заряда, не связанных в экситон. Ключевые слова: гетероструктуры II-VI, экситоны, люминесценция, перенос энергии.",
keywords = "гетероструктуры II−VI, экситоны, люминесценция, перенос энергии.",
author = "Философов, {Николай Глебович} and Серов, {Алексей Юрьевич} and Агекян, {Вадим Фадеевич} and Grzegorz Karczewski",
year = "2020",
doi = "10.21883/FTT.2020.06.49352.011",
language = "русский",
volume = "62",
pages = "937--940",
journal = "ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА",
issn = "0367-3294",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",
number = "6",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Фотолюминесценция гетероструктур CdTe/ZnTe с номинальными толщинами слоев CdTe от 1 до 8 монослоев, выращенных методом атомного наслаивания

AU - Философов, Николай Глебович

AU - Серов, Алексей Юрьевич

AU - Агекян, Вадим Фадеевич

AU - Karczewski, Grzegorz

PY - 2020

Y1 - 2020

N2 - Исследована люминесценция слоев CdTe с номинальной толщиной 1, 2, 4 и 8 монослоев (MC), выращенных методом атомного наслаивания в матрице ZnTe. Показано, что слои толщиной 1 и 2 МС проявляют свойства однородных слоев, в то время как слои с толщиной 4 и 8 МС являются планарными массивами квантовых точек (КТ). Размеры КТ и их размерная дисперсия возрастают при увеличении номинальной толщины слоя CdTe. Форма спектров возбуждения люминесценции слоя CdTe в этих образцах сильно различается. Показано, что в зависимости от энергетического расстояния между экситонными уровнями слоев CdTe и матрицы ZnTe сильно изменяется соотношение вкладов в перенос энергии экситона ZnTe и носителей заряда, не связанных в экситон. Ключевые слова: гетероструктуры II-VI, экситоны, люминесценция, перенос энергии.

AB - Исследована люминесценция слоев CdTe с номинальной толщиной 1, 2, 4 и 8 монослоев (MC), выращенных методом атомного наслаивания в матрице ZnTe. Показано, что слои толщиной 1 и 2 МС проявляют свойства однородных слоев, в то время как слои с толщиной 4 и 8 МС являются планарными массивами квантовых точек (КТ). Размеры КТ и их размерная дисперсия возрастают при увеличении номинальной толщины слоя CdTe. Форма спектров возбуждения люминесценции слоя CdTe в этих образцах сильно различается. Показано, что в зависимости от энергетического расстояния между экситонными уровнями слоев CdTe и матрицы ZnTe сильно изменяется соотношение вкладов в перенос энергии экситона ZnTe и носителей заряда, не связанных в экситон. Ключевые слова: гетероструктуры II-VI, экситоны, люминесценция, перенос энергии.

KW - гетероструктуры II−VI

KW - экситоны

KW - люминесценция

KW - перенос энергии.

UR - https://www.mendeley.com/catalogue/b19c6b61-fdf2-3316-b152-f1b21dab3715/

U2 - 10.21883/FTT.2020.06.49352.011

DO - 10.21883/FTT.2020.06.49352.011

M3 - статья

VL - 62

SP - 937

EP - 940

JO - ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА

JF - ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА

SN - 0367-3294

IS - 6

ER -

ID: 52469277