Research output: Contribution to journal › Article › peer-review
Формирование наноструктур Au/Si методом токовой литографии в сканирующем туннельном микроскопе. / Лебедев, Денис Владимирович; Школдин, Виталий Алексеевич; Можаров, Алексей Михайлович; Петухов, Анатолий Евгеньевич; Голубок, Александр Олегович; Архипов, Александр; Мухин, Иван Сергеевич; Дубровский, Владимир Германович.
In: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ", Vol. 48, No. 12, 2022, p. 15-18.Research output: Contribution to journal › Article › peer-review
}
TY - JOUR
T1 - Формирование наноструктур Au/Si методом токовой литографии в сканирующем туннельном микроскопе
AU - Лебедев, Денис Владимирович
AU - Школдин, Виталий Алексеевич
AU - Можаров, Алексей Михайлович
AU - Петухов, Анатолий Евгеньевич
AU - Голубок, Александр Олегович
AU - Архипов, Александр
AU - Мухин, Иван Сергеевич
AU - Дубровский, Владимир Германович
PY - 2022
Y1 - 2022
N2 - A technique for synthesizing nanostructures by current lithography in a scanning tunneling microscope (STM lithography) in layered Au/Si structures has been developed. An experimental dependence of the geometric dimensions of the created nanostructures on the time of current STM lithography has been obtained. A theoretical model for the growth of nanostructures is proposed, which explains the nonlinear dependence of the radius of the obtained nanostructures on time with saturation in the region of large radii. Keywords: Au/Si nanostructures, STM lithography, growth rate, modeling.Разработана методика синтеза наноструктур методом токовой литографии в сканирующем туннельном микроскопе (СТМ-литографии) в слоистых структурах Au/Si. Получена экспериментальная зависимость геометрических размеров создаваемых наноструктур от времени токовой СТМ-литографии. Предложена теоретическая модель роста наноструктур, объясняющая нелинейную зависимость радиуса получаемых наноструктур от времени с насыщением в области больших радиусов. Ключевые слова: наноструктуры Au/Si, СТМ-литография, скорость роста, моделирование.
AB - A technique for synthesizing nanostructures by current lithography in a scanning tunneling microscope (STM lithography) in layered Au/Si structures has been developed. An experimental dependence of the geometric dimensions of the created nanostructures on the time of current STM lithography has been obtained. A theoretical model for the growth of nanostructures is proposed, which explains the nonlinear dependence of the radius of the obtained nanostructures on time with saturation in the region of large radii. Keywords: Au/Si nanostructures, STM lithography, growth rate, modeling.Разработана методика синтеза наноструктур методом токовой литографии в сканирующем туннельном микроскопе (СТМ-литографии) в слоистых структурах Au/Si. Получена экспериментальная зависимость геометрических размеров создаваемых наноструктур от времени токовой СТМ-литографии. Предложена теоретическая модель роста наноструктур, объясняющая нелинейную зависимость радиуса получаемых наноструктур от времени с насыщением в области больших радиусов. Ключевые слова: наноструктуры Au/Si, СТМ-литография, скорость роста, моделирование.
UR - https://www.mendeley.com/catalogue/31340d80-501b-3ef1-bd8e-fc5edf5e594c/
U2 - 10.21883/pjtf.2022.12.52672.19224
DO - 10.21883/pjtf.2022.12.52672.19224
M3 - статья
VL - 48
SP - 15
EP - 18
JO - ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ"
JF - ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ"
SN - 0320-0116
IS - 12
ER -
ID: 95341051