Standard

Формирование гетероперехода 2D/3D топологических изоляторов и особенности электронной, спиновой и атомной структуры системы. / Состина, Д.М.; Климовских, И.И.; Петухов, А.Е.; Рыбкин, А.Г.; Терещенко, О.Е.; Шевелев, В.О.; Шикин, А.М.

Труды XX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 2016. p. 324-325.

Research output: Chapter in Book/Report/Conference proceeding › Conference contribution › Research

Harvard

Состина, ДМ, Климовских, ИИ, Петухов, АЕ, Рыбкин, АГ, Терещенко, ОЕ, Шевелев, ВО & Шикин, АМ 2016, Формирование гетероперехода 2D/3D топологических изоляторов и особенности электронной, спиновой и атомной структуры системы. in Труды XX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, pp. 324-325. <http://nanosymp.ru/ru/archive>

APA

Состина, Д. М., Климовских, И. И., Петухов, А. Е., Рыбкин, А. Г., Терещенко, О. Е., Шевелев, В. О., & Шикин, А. М. (2016). Формирование гетероперехода 2D/3D топологических изоляторов и особенности электронной, спиновой и атомной структуры системы. In Труды XX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (pp. 324-325). Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского. http://nanosymp.ru/ru/archive

Vancouver

Состина ДМ, Климовских ИИ, Петухов АЕ, Рыбкин АГ, Терещенко ОЕ, Шевелев ВО et al. Формирование гетероперехода 2D/3D топологических изоляторов и особенности электронной, спиновой и атомной структуры системы. In Труды XX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского. 2016. p. 324-325

Author

Состина, Д.М. ; Климовских, И.И. ; Петухов, А.Е. ; Рыбкин, А.Г. ; Терещенко, О.Е. ; Шевелев, В.О. ; Шикин, А.М. / Формирование гетероперехода 2D/3D топологических изоляторов и особенности электронной, спиновой и атомной структуры системы. Труды XX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 2016. pp. 324-325

BibTeX

@inproceedings{d1576fe50c6846bdba18075b0210c437,
title = "Формирование гетероперехода 2D/3D топологических изоляторов и особенности электронной, спиновой и атомной структуры системы",
author = "Д.М. Состина and И.И. Климовских and А.Е. Петухов and А.Г. Рыбкин and О.Е. Терещенко and В.О. Шевелев and А.М. Шикин",
year = "2016",
language = "не определен",
isbn = "ISBN 978-5-91326-378-0",
pages = "324--325",
booktitle = "Труды XX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника»",
publisher = "Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского",
address = "Российская Федерация",

}

RIS

TY - GEN

T1 - Формирование гетероперехода 2D/3D топологических изоляторов и особенности электронной, спиновой и атомной структуры системы

AU - Состина, Д.М.

AU - Климовских, И.И.

AU - Петухов, А.Е.

AU - Рыбкин, А.Г.

AU - Терещенко, О.Е.

AU - Шевелев, В.О.

AU - Шикин, А.М.

PY - 2016

Y1 - 2016

M3 - статья в сборнике материалов конференции

SN - ISBN 978-5-91326-378-0

SP - 324

EP - 325

BT - Труды XX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника»

PB - Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского

ER -

ID: 7630191