Предложена модель начальной стадии нуклеации нитевидных нанокристаллов полупроводниковых соединений III-V, включая нитридные, при селективной эпитаксии на маскированных подложках с упорядоченными массивами отверстий. Получен критерий селективного роста, при котором нуклеация нитевидных нанокристаллов происходит только в отверстиях, а паразитный рост на поверхности маски отсутствует. Проведен анализ зон селективного роста в зависимости от температуры, потоков, радиуса отверстий и расстояния между ними. Ключевые слова: III-V нитевидные нанокристаллы, селективная эпитаксия, маскированная подложка, нуклеация.