Исследованы спектры пропускания кристаллов GaSe и GaS различной толщины, полученные методом механического расслаивания объемных кристаллов. В тонких образцах GaSe квантово-размерные сдвиги экситонных резонансов достигают 12 meV, что близко к величине энергии связи экситона. Высокоэнергетические межзонные переходы в GaSe и GaS наблюдаются около 3.4 и 3.7 eV соответственно.