стве солнечных элементов можно осуществить методом эффекта поля с использованием жидкостного полевого электрода. Однако зарядовые состояния, локализованные на интер- фейсе, обусловливают наличие фундаментального ограничения на точность определения параметров поверхности полупроводника. Плотность и распределение поверхностных со- стояний можно варьировать, выбрав жидкостной полевой электрод, что даёт возможность оптимизации техники измерений. Нами выбраны жидкостные электроды, которые имеют одинаковый химический состав и отличаются тем, что в растворе ионы находятся в соль- ватированом состоянии, а в расплаве сохранён кристаллический ближний порядок вплоть до поверхности. Изучение интерфейсов n—Si (nSi = 6,5 · 1014 см−3) срас твором и низко- температурным расплавом соли показало, что природа поверхностных состояний является единой в растворе и расплаве. Мы предполагаем, что поверхностные состояния связаны с ге- нетическими зарядовыми центрами на поверхности кремния, плотность которых не менее 4,5 · 1012 см−2.