Пленки HfO2 толщиной 5 nm, выращенные методами гидридной эпитаксии (МОCVD) и молекулярного наслаивания (ALD) на подложках Si(100), изучены методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии в сочетании с Ar+ ионным травлением и рентгеновской рефлектометрией. Установлено, что пленки, синтезированные разными методами, имеют разную микроструктуру (пленка HfO2 (ALD) является аморфной, а пленка HfO2 (MOCVD) имеет признаки кристаллизации); поверхность пленки, синтезированной методом ALD, является менее устойчивой к загрязнениюи/ или более химически активной; на интерфейсе пленки, синтезированной методом MOCVD, присутствует больше диоксида кремния по сравнениюс пленкой, синтезированной методом ALD. Также показано, что травление поверхности пленки HfO2 ионами аргона приводит к образованиювблизи интерфейса слоя металлического гафния. Последнее обстоятельство указывает на возможность использования HfO2 не только в качестве подзатворного диэлектрика, но и материала, пригодного для создания наноразмерных проводников пу