Standard
Температурная делокализация возбуждений в GaAs/AlAs-сверхрешетках типа II. / Герловин, И.Я.; Долгих, Ю.К.; Ефимов, Ю.П.; Игнатьев, И.В.; Новицкая, Е.Е.; Овсянкин, В.В.
In:
ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, Vol. 40, No. 6, 1998, p. 1140-1146.
Research output: Contribution to journal › Article › peer-review
Harvard
Герловин, ИЯ, Долгих, ЮК, Ефимов, ЮП
, Игнатьев, ИВ, Новицкая, ЕЕ & Овсянкин, ВВ 1998, '
Температурная делокализация возбуждений в GaAs/AlAs-сверхрешетках типа II',
ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, vol. 40, no. 6, pp. 1140-1146.
APA
Герловин, И. Я., Долгих, Ю. К., Ефимов, Ю. П.
, Игнатьев, И. В., Новицкая, Е. Е., & Овсянкин, В. В. (1998).
Температурная делокализация возбуждений в GaAs/AlAs-сверхрешетках типа II.
ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА,
40(6), 1140-1146.
Vancouver
Author
BibTeX
@article{77fcbd898d1c41b99b165f6bf50e6962,
title = "Температурная делокализация возбуждений в GaAs/AlAs-сверхрешетках типа II",
author = "И.Я. Герловин and Ю.К. Долгих and Ю.П. Ефимов and И.В. Игнатьев and Е.Е. Новицкая and В.В. Овсянкин",
year = "1998",
language = "не определен",
volume = "40",
pages = "1140--1146",
journal = "ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА",
issn = "0367-3294",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",
number = "6",
}
RIS
TY - JOUR
T1 - Температурная делокализация возбуждений в GaAs/AlAs-сверхрешетках типа II
AU - Герловин, И.Я.
AU - Долгих, Ю.К.
AU - Ефимов, Ю.П.
AU - Игнатьев, И.В.
AU - Новицкая, Е.Е.
AU - Овсянкин, В.В.
PY - 1998
Y1 - 1998
M3 - статья
VL - 40
SP - 1140
EP - 1146
JO - ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА
JF - ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА
SN - 0367-3294
IS - 6
ER -
