Standard

Нетривиальная динамика экситонов в высококачественной InGaAs/GaAs квантовой яме. / Трифонов, А. В.; Коротан, С. Н.; Курдюбов, А. С.; Герловин, И. Я.; Игнатьев, И. В.; Ефимов, Ю. П.; Елисеев, С. А.; Долгих, Ю. К.; Овсянкин, В. В.; Кавокин, А. В.

Труды XIX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 2015. p. 673-674.

Research output: Chapter in Book/Report/Conference proceeding › Conference contribution

Harvard

Трифонов, АВ, Коротан, СН, Курдюбов, АС, Герловин, ИЯ, Игнатьев, ИВ, Ефимов, ЮП, Елисеев, СА, Долгих, ЮК, Овсянкин, ВВ & Кавокин, АВ 2015, Нетривиальная динамика экситонов в высококачественной InGaAs/GaAs квантовой яме. in Труды XIX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». pp. 673-674.

APA

Трифонов, А. В., Коротан, С. Н., Курдюбов, А. С., Герловин, И. Я., Игнатьев, И. В., Ефимов, Ю. П., Елисеев, С. А., Долгих, Ю. К., Овсянкин, В. В., & Кавокин, А. В. (2015). Нетривиальная динамика экситонов в высококачественной InGaAs/GaAs квантовой яме. In Труды XIX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (pp. 673-674)

Vancouver

Трифонов АВ, Коротан СН, Курдюбов АС, Герловин ИЯ, Игнатьев ИВ, Ефимов ЮП et al. Нетривиальная динамика экситонов в высококачественной InGaAs/GaAs квантовой яме. In Труды XIX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 2015. p. 673-674

Author

Трифонов, А. В. ; Коротан, С. Н. ; Курдюбов, А. С. ; Герловин, И. Я. ; Игнатьев, И. В. ; Ефимов, Ю. П. ; Елисеев, С. А. ; Долгих, Ю. К. ; Овсянкин, В. В. ; Кавокин, А. В. / Нетривиальная динамика экситонов в высококачественной InGaAs/GaAs квантовой яме. Труды XIX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 2015. pp. 673-674

BibTeX

@inproceedings{5ea3657c676747d08eea851ba21f6dcb,
title = "Нетривиальная динамика экситонов в высококачественной InGaAs/GaAs квантовой яме",
abstract = "Экспериментально изучены спектры экситонной фотолюминесценции (ФЛ) и отражения высококачественной полупроводнико вой гетероструктуры с InGaAs/GaAs квантовой ямой шириной ~95 нм в температурном диапазоне 4-30 К. Обнаружено, что спектральная ширина экситонных пиков практически не зависит от температуры при слабом оптическом возбуждении и носит необычный немотонный характер при более сильных накачках. В сигнале кинетики фотоотражения, изученной методом накачки-зондирования, наблюдаются две компоненты с различным временем затухания, связанные с радиационным распадом экситонов (~5 пс) и с формированием долгоживущего резервуара неизлучающих экситонов (~15 нс). Установлено, что немонотонная температурная зависимость спектральной ширины пиков в спектрах ФЛ определяется рассеянием излучающих экситонов неизлучающими, концентрация которых немонотонно зависит от температуры. В температурном интервале 4-15 К концентрация этих экситонов растет в связи с ростом средней кинетической энергии. При больших температурах происход",
author = "Трифонов, {А. В.} and Коротан, {С. Н.} and Курдюбов, {А. С.} and Герловин, {И. Я.} and Игнатьев, {И. В.} and Ефимов, {Ю. П.} and Елисеев, {С. А.} and Долгих, {Ю. К.} and Овсянкин, {В. В.} and Кавокин, {А. В.}",
year = "2015",
language = "не определен",
pages = "673--674",
booktitle = "Труды XIX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника»",

}

RIS

TY - GEN

T1 - Нетривиальная динамика экситонов в высококачественной InGaAs/GaAs квантовой яме

AU - Трифонов, А. В.

AU - Коротан, С. Н.

AU - Курдюбов, А. С.

AU - Герловин, И. Я.

AU - Игнатьев, И. В.

AU - Ефимов, Ю. П.

AU - Елисеев, С. А.

AU - Долгих, Ю. К.

AU - Овсянкин, В. В.

AU - Кавокин, А. В.

PY - 2015

Y1 - 2015

N2 - Экспериментально изучены спектры экситонной фотолюминесценции (ФЛ) и отражения высококачественной полупроводнико вой гетероструктуры с InGaAs/GaAs квантовой ямой шириной ~95 нм в температурном диапазоне 4-30 К. Обнаружено, что спектральная ширина экситонных пиков практически не зависит от температуры при слабом оптическом возбуждении и носит необычный немотонный характер при более сильных накачках. В сигнале кинетики фотоотражения, изученной методом накачки-зондирования, наблюдаются две компоненты с различным временем затухания, связанные с радиационным распадом экситонов (~5 пс) и с формированием долгоживущего резервуара неизлучающих экситонов (~15 нс). Установлено, что немонотонная температурная зависимость спектральной ширины пиков в спектрах ФЛ определяется рассеянием излучающих экситонов неизлучающими, концентрация которых немонотонно зависит от температуры. В температурном интервале 4-15 К концентрация этих экситонов растет в связи с ростом средней кинетической энергии. При больших температурах происход

AB - Экспериментально изучены спектры экситонной фотолюминесценции (ФЛ) и отражения высококачественной полупроводнико вой гетероструктуры с InGaAs/GaAs квантовой ямой шириной ~95 нм в температурном диапазоне 4-30 К. Обнаружено, что спектральная ширина экситонных пиков практически не зависит от температуры при слабом оптическом возбуждении и носит необычный немотонный характер при более сильных накачках. В сигнале кинетики фотоотражения, изученной методом накачки-зондирования, наблюдаются две компоненты с различным временем затухания, связанные с радиационным распадом экситонов (~5 пс) и с формированием долгоживущего резервуара неизлучающих экситонов (~15 нс). Установлено, что немонотонная температурная зависимость спектральной ширины пиков в спектрах ФЛ определяется рассеянием излучающих экситонов неизлучающими, концентрация которых немонотонно зависит от температуры. В температурном интервале 4-15 К концентрация этих экситонов растет в связи с ростом средней кинетической энергии. При больших температурах происход

M3 - статья в сборнике материалов конференции

SP - 673

EP - 674

BT - Труды XIX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника»

ER -

ID: 4749002