Моделирование свойств однократно отрицательно заряженных In(1-x)Ga(x)As квантовых точек путем исследования электронных характеристик отрицательных ионов In(1-x)Ga(x)As-нанокластеров методами стационарной, неограниченной по спину теории функционала плотности

Research output: Book/Report/Anthology › Commissioned report