TY - JOUR

T1 - Оптическая ориентация частиц со случайным g-фактором в полупроводниковых наноструктурах

AU - Андреев, С.В.

AU - Кудинов, А.В.

PY - 2011

Y1 - 2011

N2 - В реальных квазидвумерных полупроводниковых наноструктурах (квантовых ямах, квантовых точках) поперечный g-фактор дырок является стохастической величиной. Этот факт необходимо учитывать при анализе оптической ориентации и эффекта Ханле на дырках. Теоретически рассматривается эффект Ханле для ансамбля частиц со „случайным“ g-фактором. В случае, когда время спиновой релаксации дырки с характерной величиной g-фактора мало по сравнению с ее временем жизни, возможно сужение контура деполяризации и увеличение его амплитуды. Для противоположного случая долгих времен спиновой релаксации (трионы в квантовых точках) выведена формула, обобщающая ранее полученный результат на случай произвольного угла наклона магнитного поля к плоскости слоя (эффект Ханле в наклонном поле).

AB - В реальных квазидвумерных полупроводниковых наноструктурах (квантовых ямах, квантовых точках) поперечный g-фактор дырок является стохастической величиной. Этот факт необходимо учитывать при анализе оптической ориентации и эффекта Ханле на дырках. Теоретически рассматривается эффект Ханле для ансамбля частиц со „случайным“ g-фактором. В случае, когда время спиновой релаксации дырки с характерной величиной g-фактора мало по сравнению с ее временем жизни, возможно сужение контура деполяризации и увеличение его амплитуды. Для противоположного случая долгих времен спиновой релаксации (трионы в квантовых точках) выведена формула, обобщающая ранее полученный результат на случай произвольного угла наклона магнитного поля к плоскости слоя (эффект Ханле в наклонном поле).

M3 - статья

VL - 53

SP - 176

JO - ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА

JF - ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА

SN - 0367-3294

ER -