Приведены результаты катодолюминесцентных исследований дефектной структуры, созданной индентированием базисной и призматической поверхности малодислокационных объемных кристаллов нитрида
алюминия, а также нитрида галлия. Впервые установлено, что дислокационная структура в приповерхностной
области вблизи отпечатка индентора в AlN качественно отличается от хорошо известной для других
полупроводников со структурой вюрцита и хорошо объяснимой моделью Пайерлса. Сделано заключение о
неприменимости этой модели для характеризации динамики дислокаций в AlN и необходимости разработки
для этого новых теоретических подходов.