В спектроскопических исследованиях гелий-неоновой плазмы, проведенных ранее, была обнаружена ярко
выраженная селективность заселения уровня 3p1 (по Пашену), верхнего из группы уровней конфигурации
2p54p атома Ne. По мере роста давления гелия в линии 352.05nm (3p1 → 1s2) концентрировалось до 60%
интенсивности всех переходов 2p54p → 2p53s. В настоящей работе предложен механизм роста относитель
ной населенности уровня 3p1 при увеличении давления He, связанный с особенностями столкновительной
кинетики состояний 3pi конфигурации 2p54p. Причиной значительно более быстрого опустошения нижних
уровней 3pi (i ≥ 2) по сравнению с 3p1, по-видимому, являются особенности взаимного расположения
адиабатических термов системы Ne(2p54p)+He(1s2 1S0). Механизм формирования селективного заселения
уровня 3p1, рассмотренный в данной работе, может реализоваться в смеси гелия с неоном и не может
реализоваться в чистом неоне, что соответствует результатам спектроскопических исследований. Проведены
модельные расчеты части спектра, относящейся к переходам 3p1, 3p4, 3p2 → 1sj, при фиксированном
распределении потоков заселения состояний 3p1, 3p4, 3p2 и различных давлениях гелия. Наблюдается
хорошее соответствие результатов измерений и результатов численного моделирования.