Детально исследованы спектры отражения и фотолюминесценции структур ZnO/Zn0.78Mg0.22O с квантовыми ямами ZnO и толстыми слоями ZnO и Zn0.78Mg0.22O в зависимости от температуры, интенсивности и длины волны возбуждения. Идентифицированы все наблюдаемые в спектрах линии, установлено, что встроенное электрическое поле не оказывает такого сильного влияния на спектр, как это предполагалось. По-видимому, встроенное поле эффективно экранируется носителями, перешедшими в зоны с уровней доноров и акцепторов. Проведена оценка параметров, определяющих свойства экситона в оксиде цинка. Работа частично поддержана грантом СПбГУ N 11.37.210.2016.