Методом туннельной микроскопии исследованы поверхностные состояния тонких металлических пленок золота и серебра, осажденных в вакууме, а также объемных образцов этих металлов и полупроводников n- и p-типа проводимости с различными уровнями легирования. Для объемных образцов Au на дифференцированной кривой туннельного тока, измеренного по поверхности образца, наблюдается максимум. На металлических пленках Au он отсутствует. На дифференцированной кривой туннельного тока полупроводников присутствует максимум, соответствующий ширине запрещенной зоны образца.

The surface states of Au and Ag thin layers, deposited in vacuum, as well as bulk samples of these metals, and of semiconductor n- and p-type with various doping levels were investigated by tunnel microscopy method. There was observed a maximum on a derivative of tunnel current curve (DTCC) measured along a surface of Au bulk samples. Measurements of the thin Au layers did not reveal such a maximum. For all semiconductors a maxim