Проведен теоретический анализ энергетической зонной диаграммы многослойных гетероструктур Ge
0.8Si
0.2/Ge
0.1Si
0.9 с вертикально совмещенными квантовыми точками. С учетом флуктуаций толщины слоев в колонках квантовых точек и экситон-фононного взаимодействия показано, что электронные состояния формируют минизону. Дырочные волновые функции остаются локализованными в квантовых точках. Спектр оптических переходов в 20-слойной структуре, рассчитанный для комнатной температуры, хорошо согласуется с экспериментально измеренным спектром фотолюминесценции, показывающим интенсивную полосу вблизи 1.6 мкм. Теоретически и экспериментально установлен характерный признак существования минизоны в сверхрешетке - интегралы перекрытия электронных и дырочных волновых функций и интегральная интенсивность фотолюминесценции полосы квантовых точек Ge описываются квадратичной зависимостью от количества периодов структуры.
Theoretical analysis of the band diagram o
