Исследовались образцы LT-GaAs, выращенные при низкой температуре методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из полуизолирующего GaAs. Одни образцы подвергались отжигу, другие — нет. В работе использована оригинальная схема измерения динамического изменения коэффициента преломления света, основанная на методике pump-probe. В материале с помощью лазерного излучения создавалась концентрация неравновесных носителей заряда, достаточная для изменения показателя преломления, затем регистрировалась динамика изменения наведённого показателя преломления и вычислялось время жизни неравновесных носителей заряда. Для экспериментов использовалась лазерная установка «Пульсар-10» с длиной волны 800 нм, энергией в импульсе 1–5 мДж, частотой повторения импульсов 10 Гц и длительностью импульса 50 фс. Получены новые результаты для значений времени жизни ряда новых образцов GaAs и сделаны предположения о связи полученных результатов с некоторыми условиями выращивания образцов. Предполагается, что увеличение времени жизни