Research output: Contribution to journal › Article › peer-review
КВАНТОВО-РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ В СПЕКТРАХ ПОГЛОЩЕНИЯ НАНОКРИСТАЛЛОВ CDTE В ПРИБЛИЖЕНИИ ПРОМЕЖУТОЧНОГО КОНФАЙНМЕНТА. / Гайсин, B.А.; Карпов, С. В.; Микушев, С. В.
In: ПОВЕРХНОСТЬ. РЕНТГЕНОВСКИЕ, СИНХРОТРОННЫЕ И НЕЙТРОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ, No. 11, 2005, p. 12-15.Research output: Contribution to journal › Article › peer-review
}
TY - JOUR
T1 - КВАНТОВО-РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ В СПЕКТРАХ ПОГЛОЩЕНИЯ НАНОКРИСТАЛЛОВ CDTE В ПРИБЛИЖЕНИИ ПРОМЕЖУТОЧНОГО КОНФАЙНМЕНТА
AU - Гайсин, B.А.
AU - Карпов, С. В.
AU - Микушев, С. В.
PY - 2005
Y1 - 2005
N2 - Исследованы спектры дифференциального (по длине волны) поглощения нанокристаллов теллури-да кадмия в стеклообразной фторфосфатной матрице вблизи края собственного поглощения 350-650 нм. Получены спектры поглощения для образцов с нанокристаллами CdTe диаметром 60-150 A, что позволило установить поведение электронных и дырочных состояний в ранее не исследованной области размеров наночастиц. Обнаруженные осцилляции поглощения интерпретированы как проявление размерного квантования электронов и дырок в условиях промежуточного конфайнмента. Полученные данные использованы для сравнения с результатами расчета энергии электрон-дырочных переходов в нанокристаллах CdTe в режиме сильного конфайнмента. Установлено, что уровни дискретных локализованных состояний трансформируются в зонные состояния полупроводника при энергии переходов меньшей, чем ширина запрещенной зоны. Это позволяет считать, что учет кулоновского взаимодействия между электронами и дырками, которым пренебрегают в приближении сильного конфайнмента, особенн
AB - Исследованы спектры дифференциального (по длине волны) поглощения нанокристаллов теллури-да кадмия в стеклообразной фторфосфатной матрице вблизи края собственного поглощения 350-650 нм. Получены спектры поглощения для образцов с нанокристаллами CdTe диаметром 60-150 A, что позволило установить поведение электронных и дырочных состояний в ранее не исследованной области размеров наночастиц. Обнаруженные осцилляции поглощения интерпретированы как проявление размерного квантования электронов и дырок в условиях промежуточного конфайнмента. Полученные данные использованы для сравнения с результатами расчета энергии электрон-дырочных переходов в нанокристаллах CdTe в режиме сильного конфайнмента. Установлено, что уровни дискретных локализованных состояний трансформируются в зонные состояния полупроводника при энергии переходов меньшей, чем ширина запрещенной зоны. Это позволяет считать, что учет кулоновского взаимодействия между электронами и дырками, которым пренебрегают в приближении сильного конфайнмента, особенн
M3 - статья
SP - 12
EP - 15
JO - ПОВЕРХНОСТЬ. РЕНТГЕНОВСКИЕ, СИНХРОТРОННЫЕ И НЕЙТРОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ
JF - ПОВЕРХНОСТЬ. РЕНТГЕНОВСКИЕ, СИНХРОТРОННЫЕ И НЕЙТРОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ
SN - 1027-4510
IS - 11
ER -
ID: 5175847