Standard

Моделирование методом теории функционала плотности зарядовых состояний Mn в разбавленных ферромагнитных полупроводниках состава Ga1-xMnxAs: кластерный подход. / Крауклис, И.В.; Чижов, Ю.В.; Подкопаева, О.Ю.

In: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, Vol. 48, No. 8, 2014, p. 1037-1043.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Harvard

Крауклис, ИВ, Чижов, ЮВ & Подкопаева, ОЮ 2014, 'Моделирование методом теории функционала плотности зарядовых состояний Mn в разбавленных ферромагнитных полупроводниках состава Ga1-xMnxAs: кластерный подход', ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, vol. 48, no. 8, pp. 1037-1043. <http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/08/page-1037.html.ru>

APA

Крауклис, И. В., Чижов, Ю. В., & Подкопаева, О. Ю. (2014). Моделирование методом теории функционала плотности зарядовых состояний Mn в разбавленных ферромагнитных полупроводниках состава Ga1-xMnxAs: кластерный подход. ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, 48(8), 1037-1043. http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/08/page-1037.html.ru

Vancouver

Крауклис ИВ, Чижов ЮВ, Подкопаева ОЮ. Моделирование методом теории функционала плотности зарядовых состояний Mn в разбавленных ферромагнитных полупроводниках состава Ga1-xMnxAs: кластерный подход. ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 2014;48(8):1037-1043.

Author

Крауклис, И.В. ; Чижов, Ю.В. ; Подкопаева, О.Ю. / Моделирование методом теории функционала плотности зарядовых состояний Mn в разбавленных ферромагнитных полупроводниках состава Ga1-xMnxAs: кластерный подход. In: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 2014 ; Vol. 48, No. 8. pp. 1037-1043.

BibTeX

@article{f10c0fa694364a9896595d3d242f12c4,
title = "Моделирование методом теории функционала плотности зарядовых состояний Mn в разбавленных ферромагнитных полупроводниках состава Ga1-xMnxAs: кластерный подход",
abstract = "Проведена серия квантово-химических кластерных расчетов методом теории функционала плотности по моделированию высокосимметричных нанокластеров Ga15MnAs16H36 и Ga12MnAs16H36, имитирующих объемную часть кристалла арсенида галлия с примесным магнитным центром Mn. Градиентно-подправленным методом PBEPBE/LanL2DZ изучены нейтральное Mn0 и ионизированное Mn- состояния атома Mn в исследуемых нанокластерах. Изменение зарядового состояния примесного центра с нейтрального на ионизированное приводит к заметной релаксации связей Mn-As в ближайшем окружении атома Mn и рекомбинации {"}p-дырки{"} вблизи валентной зоны, а также влияет на локализацию спиновой плотности. Методом градиентно-инвариантных атомных орбиталей (GIAO) с использованием гибридного функционала mPW1PW91 рассчитаны компоненты тензора g-фактора для нейтрального Mn0 и ионизированного Mn- состояний. Полученные значения g-фактора находятся в хорошем согласии с известными экспериментальными данными по электронному парамагнитному резонансу. Тем самым показана успеш",
keywords = "DFT расчеты, разбавленные ферромагнитные полупроводники, g-фактор, зарядовые состояния Mn в РМП",
author = "И.В. Крауклис and Ю.В. Чижов and О.Ю. Подкопаева",
year = "2014",
language = "не определен",
volume = "48",
pages = "1037--1043",
journal = "ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ",
issn = "0015-3222",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",
number = "8",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Моделирование методом теории функционала плотности зарядовых состояний Mn в разбавленных ферромагнитных полупроводниках состава Ga1-xMnxAs: кластерный подход

AU - Крауклис, И.В.

AU - Чижов, Ю.В.

AU - Подкопаева, О.Ю.

PY - 2014

Y1 - 2014

N2 - Проведена серия квантово-химических кластерных расчетов методом теории функционала плотности по моделированию высокосимметричных нанокластеров Ga15MnAs16H36 и Ga12MnAs16H36, имитирующих объемную часть кристалла арсенида галлия с примесным магнитным центром Mn. Градиентно-подправленным методом PBEPBE/LanL2DZ изучены нейтральное Mn0 и ионизированное Mn- состояния атома Mn в исследуемых нанокластерах. Изменение зарядового состояния примесного центра с нейтрального на ионизированное приводит к заметной релаксации связей Mn-As в ближайшем окружении атома Mn и рекомбинации "p-дырки" вблизи валентной зоны, а также влияет на локализацию спиновой плотности. Методом градиентно-инвариантных атомных орбиталей (GIAO) с использованием гибридного функционала mPW1PW91 рассчитаны компоненты тензора g-фактора для нейтрального Mn0 и ионизированного Mn- состояний. Полученные значения g-фактора находятся в хорошем согласии с известными экспериментальными данными по электронному парамагнитному резонансу. Тем самым показана успеш

AB - Проведена серия квантово-химических кластерных расчетов методом теории функционала плотности по моделированию высокосимметричных нанокластеров Ga15MnAs16H36 и Ga12MnAs16H36, имитирующих объемную часть кристалла арсенида галлия с примесным магнитным центром Mn. Градиентно-подправленным методом PBEPBE/LanL2DZ изучены нейтральное Mn0 и ионизированное Mn- состояния атома Mn в исследуемых нанокластерах. Изменение зарядового состояния примесного центра с нейтрального на ионизированное приводит к заметной релаксации связей Mn-As в ближайшем окружении атома Mn и рекомбинации "p-дырки" вблизи валентной зоны, а также влияет на локализацию спиновой плотности. Методом градиентно-инвариантных атомных орбиталей (GIAO) с использованием гибридного функционала mPW1PW91 рассчитаны компоненты тензора g-фактора для нейтрального Mn0 и ионизированного Mn- состояний. Полученные значения g-фактора находятся в хорошем согласии с известными экспериментальными данными по электронному парамагнитному резонансу. Тем самым показана успеш

KW - DFT расчеты

KW - разбавленные ферромагнитные полупроводники

KW - g-фактор

KW - зарядовые состояния Mn в РМП

M3 - статья

VL - 48

SP - 1037

EP - 1043

JO - ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

JF - ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

SN - 0015-3222

IS - 8

ER -

ID: 5696301