Standard

Механизм переноса заряда в новом магнитном топологическом изоляторе MnBi0.5Sb1.5Te4. / Абдуллаев, Н. А.; Алигулиева, Х. В.; Зверев, В. Н.; Алиев, З.С.; Амирасланов, И. Р.; Бабанлы, М. Б.; Джахангирли, З. А.; Алиева, Е. Н.; Ахмедова, Х. Н.; Мамедов, Т. Г.; Отроков, М.М.; Шикин, А.М.; Мамедов, Н. Т.; Чулков, Е.В.

In: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, Vol. 63, No. 8, 13.05.2021, p. 1062-1067.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Harvard

Абдуллаев, НА, Алигулиева, ХВ, Зверев, ВН, Алиев, ЗС, Амирасланов, ИР, Бабанлы, МБ, Джахангирли, ЗА, Алиева, ЕН, Ахмедова, ХН, Мамедов, ТГ, Отроков, ММ, Шикин, АМ, Мамедов, НТ & Чулков, ЕВ 2021, 'Механизм переноса заряда в новом магнитном топологическом изоляторе MnBi0.5Sb1.5Te4', ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, vol. 63, no. 8, pp. 1062-1067. <https://journals.ioffe.ru/articles/51154>

APA

Абдуллаев, Н. А., Алигулиева, Х. В., Зверев, В. Н., Алиев, З. С., Амирасланов, И. Р., Бабанлы, М. Б., Джахангирли, З. А., Алиева, Е. Н., Ахмедова, Х. Н., Мамедов, Т. Г., Отроков, М. М., Шикин, А. М., Мамедов, Н. Т., & Чулков, Е. В. (2021). Механизм переноса заряда в новом магнитном топологическом изоляторе MnBi0.5Sb1.5Te4. ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, 63(8), 1062-1067. https://journals.ioffe.ru/articles/51154

Vancouver

Абдуллаев НА, Алигулиева ХВ, Зверев ВН, Алиев ЗС, Амирасланов ИР, Бабанлы МБ et al. Механизм переноса заряда в новом магнитном топологическом изоляторе MnBi0.5Sb1.5Te4. ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 2021 May 13;63(8):1062-1067.

Author

Абдуллаев, Н. А. ; Алигулиева, Х. В. ; Зверев, В. Н. ; Алиев, З.С. ; Амирасланов, И. Р. ; Бабанлы, М. Б. ; Джахангирли, З. А. ; Алиева, Е. Н. ; Ахмедова, Х. Н. ; Мамедов, Т. Г. ; Отроков, М.М. ; Шикин, А.М. ; Мамедов, Н. Т. ; Чулков, Е.В. / Механизм переноса заряда в новом магнитном топологическом изоляторе MnBi0.5Sb1.5Te4. In: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 2021 ; Vol. 63, No. 8. pp. 1062-1067.

BibTeX

@article{053c10005e40423b868fc3ff12be7121,
title = "Механизм переноса заряда в новом магнитном топологическом изоляторе MnBi0.5Sb1.5Te4",
abstract = "Получен новый слоистый магнитный топологический изолятор состава MnBi0.5Sb1.5Te4. Исследована электропроводность в плоскости слоев и в направлении перпендикулярном слоям в области температур 1.4-300 K. Обнаружено, что в обоих направлениях в интервале температур 50-300 K наблюдается {"}металлический{"} характер температурной зависимости удельного сопротивления rho(T). Ниже температуры T=50 K величина rho возрастает и демонстрирует нетривиальную температурную зависимость с особенностью в области критической температуры Tc=23 K. Возрастание сопротивления в температурном интервале 50-23 K обусловлено спиновыми флуктуациями и магнитным фазовым переходом. Ниже Tc и вплоть до 1.4 K rho(T) демонстрирует поведение характерное для эффекта слабой локализации, что подтверждается анализом данных, полученных при исследовании магнитосопротивления. Ключевые слова: топологические изоляторы, удельное сопротивление, фазовые переходы, слабая локализация, магнитосопротивление, слоистые кристаллы.",
author = "Абдуллаев, {Н. А.} and Алигулиева, {Х. В.} and Зверев, {В. Н.} and З.С. Алиев and Амирасланов, {И. Р.} and Бабанлы, {М. Б.} and Джахангирли, {З. А.} and Алиева, {Е. Н.} and Ахмедова, {Х. Н.} and Мамедов, {Т. Г.} and М.М. Отроков and А.М. Шикин and Мамедов, {Н. Т.} and Е.В. Чулков",
year = "2021",
month = may,
day = "13",
language = "русский",
volume = "63",
pages = "1062--1067",
journal = "ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА",
issn = "0367-3294",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",
number = "8",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Механизм переноса заряда в новом магнитном топологическом изоляторе MnBi0.5Sb1.5Te4

AU - Абдуллаев, Н. А.

AU - Алигулиева, Х. В.

AU - Зверев, В. Н.

AU - Алиев, З.С.

AU - Амирасланов, И. Р.

AU - Бабанлы, М. Б.

AU - Джахангирли, З. А.

AU - Алиева, Е. Н.

AU - Ахмедова, Х. Н.

AU - Мамедов, Т. Г.

AU - Отроков, М.М.

AU - Шикин, А.М.

AU - Мамедов, Н. Т.

AU - Чулков, Е.В.

PY - 2021/5/13

Y1 - 2021/5/13

N2 - Получен новый слоистый магнитный топологический изолятор состава MnBi0.5Sb1.5Te4. Исследована электропроводность в плоскости слоев и в направлении перпендикулярном слоям в области температур 1.4-300 K. Обнаружено, что в обоих направлениях в интервале температур 50-300 K наблюдается "металлический" характер температурной зависимости удельного сопротивления rho(T). Ниже температуры T=50 K величина rho возрастает и демонстрирует нетривиальную температурную зависимость с особенностью в области критической температуры Tc=23 K. Возрастание сопротивления в температурном интервале 50-23 K обусловлено спиновыми флуктуациями и магнитным фазовым переходом. Ниже Tc и вплоть до 1.4 K rho(T) демонстрирует поведение характерное для эффекта слабой локализации, что подтверждается анализом данных, полученных при исследовании магнитосопротивления. Ключевые слова: топологические изоляторы, удельное сопротивление, фазовые переходы, слабая локализация, магнитосопротивление, слоистые кристаллы.

AB - Получен новый слоистый магнитный топологический изолятор состава MnBi0.5Sb1.5Te4. Исследована электропроводность в плоскости слоев и в направлении перпендикулярном слоям в области температур 1.4-300 K. Обнаружено, что в обоих направлениях в интервале температур 50-300 K наблюдается "металлический" характер температурной зависимости удельного сопротивления rho(T). Ниже температуры T=50 K величина rho возрастает и демонстрирует нетривиальную температурную зависимость с особенностью в области критической температуры Tc=23 K. Возрастание сопротивления в температурном интервале 50-23 K обусловлено спиновыми флуктуациями и магнитным фазовым переходом. Ниже Tc и вплоть до 1.4 K rho(T) демонстрирует поведение характерное для эффекта слабой локализации, что подтверждается анализом данных, полученных при исследовании магнитосопротивления. Ключевые слова: топологические изоляторы, удельное сопротивление, фазовые переходы, слабая локализация, магнитосопротивление, слоистые кристаллы.

M3 - статья

VL - 63

SP - 1062

EP - 1067

JO - ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА

JF - ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА

SN - 0367-3294

IS - 8

ER -

ID: 88199428