Впервые выращены эпитаксиальные пленки оксида цинка на кремнии методом молекулярного наслаивания
при T = 250◦C. Для того чтобы избежать химической реакции между кремнием и оксидом цинка (константа
реакции при температуре роста имеет порядок 1022), на поверхности кремния предварительно был
синтезирован методом химического замещения атомов высококачественный буферный слой карбида кремния
толщиной 50 nm. Для роста пленок оксида цинка использовались пластины кремния ориентации (100)
n- и p-типа проводимости. Эллипсометрический, рамановский, электронографический и микроэлементный
анализы показали, что пленки ZnO являются эпитаксиальными.