Особенности перехода проводимости металл--диэлектрик в узкощелевых полупроводниках структурного типа MgAgAs. / Ромака, В.А.; Стаднык, Ю.В.; Шеляпина, М.Г.; Фрушарт, Д.; Чекурин, В.Ф.; Ромака, Л.П.; Гореленко, Ю.К.
In: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, Vol. 40, No. 2, 2006, p. 136-141.Research output: Contribution to journal › Article › peer-review
}
TY - JOUR
T1 - Особенности перехода проводимости металл--диэлектрик в узкощелевых полупроводниках структурного типа MgAgAs
AU - Ромака, В.А.
AU - Стаднык, Ю.В.
AU - Шеляпина, М.Г.
AU - Фрушарт, Д.
AU - Чекурин, В.Ф.
AU - Ромака, Л.П.
AU - Гореленко, Ю.К.
PY - 2006
Y1 - 2006
N2 - Определена роль примесной акцепторной зоны в проводимости легированного и компенсированного полупроводника ZrNiSn. Предложена модель перестройки примесной зоны при легировании полупроводника акцепторными примесями. Рассчитана электронная структура твердого раствора Zr1-xScxNiSn. Впервые выявлены осцилляции магнитной восприимчивости вблизи перехода диэлектрик--металл при изменении состава Zr1-xScxNiSn, который мы связываем с переходом Андерсона. Наблюдаемые осцилляции являются проявлением кулоновской щели примесной зоны при изменении степени легирования и компенсации полупроводника.
AB - Определена роль примесной акцепторной зоны в проводимости легированного и компенсированного полупроводника ZrNiSn. Предложена модель перестройки примесной зоны при легировании полупроводника акцепторными примесями. Рассчитана электронная структура твердого раствора Zr1-xScxNiSn. Впервые выявлены осцилляции магнитной восприимчивости вблизи перехода диэлектрик--металл при изменении состава Zr1-xScxNiSn, который мы связываем с переходом Андерсона. Наблюдаемые осцилляции являются проявлением кулоновской щели примесной зоны при изменении степени легирования и компенсации полупроводника.
M3 - статья
VL - 40
SP - 136
EP - 141
JO - ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
JF - ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
SN - 0015-3222
IS - 2
ER -
ID: 5080732