TY - JOUR

T1 - Влияние комбинированного ионного и электронного облучения на полосу люминесценции 2 eV в гексагональном нитриде бора

AU - Петров, Юрий Владимирович

AU - Гогина, Ольга Андреевна

AU - Вывенко, Олег Федорович

AU - Kovalchuk, Sviatoslav

AU - Bolotin, Kirill

PY - 2023/1/1

Y1 - 2023/1/1

N2 - Point defects in wide-bandgap semiconductors, in particular in hexagonal boron nitride, are promising candidates for single-photon emitters, used in quantum informatics. We investigated cathodoluminescence of ion beam induced defects in hexagonal boron nitride, as well as the effect of prolonged electron irradiation on the intensity of the luminescence. It has been shown that the intensity of both band-to-band emission and defect related emission decreased after ion irradiation, and during subsequent electron irradiation the intensity of 2 eV luminescence band increased, whereas the intensity of other bands remained unchanged.Точечные дефекты в широкозонных полупроводниках, в частности в гексагональном нитриде бора, являются перспективными кандидатами на роль источников одиночных фотонов, применяемых в квантовой информатике. Исследованы катодолюминесценция ионно-индуцированных дефектов в гексагональном нитриде бора, а также влияние продолжительного облучения электронами на интенсивность люминесценции. Показано, что интенсивность как зона-зонного, так и связанного с дефектами излучения уменьшается в результате облучения ионами, а в процессе последующего облучения электронами интенсивность полосы люминесценции 2 eV увеличивается, в то время как интенсивность остальных полос сохраняется. Ключевые слова: катодолюминесценция, ионное облучение, электронное облучение, гексагональный нитрид бора.

AB - Point defects in wide-bandgap semiconductors, in particular in hexagonal boron nitride, are promising candidates for single-photon emitters, used in quantum informatics. We investigated cathodoluminescence of ion beam induced defects in hexagonal boron nitride, as well as the effect of prolonged electron irradiation on the intensity of the luminescence. It has been shown that the intensity of both band-to-band emission and defect related emission decreased after ion irradiation, and during subsequent electron irradiation the intensity of 2 eV luminescence band increased, whereas the intensity of other bands remained unchanged.Точечные дефекты в широкозонных полупроводниках, в частности в гексагональном нитриде бора, являются перспективными кандидатами на роль источников одиночных фотонов, применяемых в квантовой информатике. Исследованы катодолюминесценция ионно-индуцированных дефектов в гексагональном нитриде бора, а также влияние продолжительного облучения электронами на интенсивность люминесценции. Показано, что интенсивность как зона-зонного, так и связанного с дефектами излучения уменьшается в результате облучения ионами, а в процессе последующего облучения электронами интенсивность полосы люминесценции 2 eV увеличивается, в то время как интенсивность остальных полос сохраняется. Ключевые слова: катодолюминесценция, ионное облучение, электронное облучение, гексагональный нитрид бора.

UR - https://www.mendeley.com/catalogue/b204c649-cb17-3348-b76e-41543a696072/

U2 - 10.21883/JTF.2023.07.55746.62-23

DO - 10.21883/JTF.2023.07.55746.62-23

M3 - статья

VL - 93

SP - 921

EP - 927

JO - ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ

JF - ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ

SN - 0044-4642

IS - 7

ER -