Методом фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением экспериментально исследована модификация спектров квантовых электронных состояний sp-типа в тонких металлических пленках алюминия на поверхности W(110) как в процессе напыления, так и в зависимости от угла детектирования. Наблюдались квантовые электронные состояния для частично заполненной зоны валентных состояний в области энергий связи от 4.4 эВ до уровня Ферми. Показано, что для пленки алюминия толщиной в 11 монослоев в локальной запрещенной зоне W(110) в направлении S наблюдаются скачок дисперсионных зависимостей квантовых электронных состояний и их расщепление, связанное с влиянием электронной структуры подложки на формируемый спектр квантовых состояний и их возможной спиновой поляризацией.