Standard

Энергия относительного движения электрона и дырки в экситоне во внешнем электрическом поле в пластине GaAs. / Логинов, Дмитрий Константинович; Донец, Алексей Валерьевич.

In: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, Vol. 64, No. 11, 11.2022, p. 1656-1663.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Harvard

Логинов, ДК & Донец, АВ 2022, 'Энергия относительного движения электрона и дырки в экситоне во внешнем электрическом поле в пластине GaAs', ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, vol. 64, no. 11, pp. 1656-1663. https://doi.org/10.21883/FTT.2022.11.53317.303

APA

Логинов, Д. К., & Донец, А. В. (2022). Энергия относительного движения электрона и дырки в экситоне во внешнем электрическом поле в пластине GaAs. ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, 64(11), 1656-1663. https://doi.org/10.21883/FTT.2022.11.53317.303

Vancouver

Логинов ДК, Донец АВ. Энергия относительного движения электрона и дырки в экситоне во внешнем электрическом поле в пластине GaAs. ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 2022 Nov;64(11):1656-1663. https://doi.org/10.21883/FTT.2022.11.53317.303

Author

Логинов, Дмитрий Константинович ; Донец, Алексей Валерьевич. / Энергия относительного движения электрона и дырки в экситоне во внешнем электрическом поле в пластине GaAs. In: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 2022 ; Vol. 64, No. 11. pp. 1656-1663.

BibTeX

@article{93e6434085bc46a5b91133c538d398ac,
title = "Энергия относительного движения электрона и дырки в экситоне во внешнем электрическом поле в пластине GaAs",
abstract = "The dependence of the energy of the relative electron-hole motion in an exciton on the magnitude of applied electric field for various thicknesses of an ideal flat semiconductor plate is theoretically calculated. It is shown that the variation of the plate thickness significantly affects the dependence of the energy on the electric field. The effect should be observed in plates whose thickness exceeds the Bohr exciton radius by two orders of magnitude.Теоретически рассчитана зависимость энергии относительного движения электрона и дырки в экситоне от величины приложенного электрического поля для различных толщин идеальной плоской полупроводниковой пластины. Показано, что вариация толщины пластины существенно влияет на зависимость этой энергии от электрического поля. Эффект должен наблюдаться в пластинах, толщина которых на два десятичных порядка превосходит боровский радиус экситона. Ключевые слова: экситон, электрическое поле, полупроводниковые пластины.",
keywords = "экситон, электрическое поле, полупроводниковые пластины",
author = "Логинов, {Дмитрий Константинович} and Донец, {Алексей Валерьевич}",
year = "2022",
month = nov,
doi = "10.21883/FTT.2022.11.53317.303",
language = "русский",
volume = "64",
pages = "1656--1663",
journal = "ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА",
issn = "0367-3294",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",
number = "11",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Энергия относительного движения электрона и дырки в экситоне во внешнем электрическом поле в пластине GaAs

AU - Логинов, Дмитрий Константинович

AU - Донец, Алексей Валерьевич

PY - 2022/11

Y1 - 2022/11

N2 - The dependence of the energy of the relative electron-hole motion in an exciton on the magnitude of applied electric field for various thicknesses of an ideal flat semiconductor plate is theoretically calculated. It is shown that the variation of the plate thickness significantly affects the dependence of the energy on the electric field. The effect should be observed in plates whose thickness exceeds the Bohr exciton radius by two orders of magnitude.Теоретически рассчитана зависимость энергии относительного движения электрона и дырки в экситоне от величины приложенного электрического поля для различных толщин идеальной плоской полупроводниковой пластины. Показано, что вариация толщины пластины существенно влияет на зависимость этой энергии от электрического поля. Эффект должен наблюдаться в пластинах, толщина которых на два десятичных порядка превосходит боровский радиус экситона. Ключевые слова: экситон, электрическое поле, полупроводниковые пластины.

AB - The dependence of the energy of the relative electron-hole motion in an exciton on the magnitude of applied electric field for various thicknesses of an ideal flat semiconductor plate is theoretically calculated. It is shown that the variation of the plate thickness significantly affects the dependence of the energy on the electric field. The effect should be observed in plates whose thickness exceeds the Bohr exciton radius by two orders of magnitude.Теоретически рассчитана зависимость энергии относительного движения электрона и дырки в экситоне от величины приложенного электрического поля для различных толщин идеальной плоской полупроводниковой пластины. Показано, что вариация толщины пластины существенно влияет на зависимость этой энергии от электрического поля. Эффект должен наблюдаться в пластинах, толщина которых на два десятичных порядка превосходит боровский радиус экситона. Ключевые слова: экситон, электрическое поле, полупроводниковые пластины.

KW - экситон

KW - электрическое поле

KW - полупроводниковые пластины

UR - https://www.mendeley.com/catalogue/ccad7773-6160-35b0-ae5b-d6c69d9ebba1/

U2 - 10.21883/FTT.2022.11.53317.303

DO - 10.21883/FTT.2022.11.53317.303

M3 - статья

VL - 64

SP - 1656

EP - 1663

JO - ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА

JF - ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА

SN - 0367-3294

IS - 11

ER -

ID: 100303785