Выполнен цикл исследований поляритонных и спиновых состояний в квантовых ямах. Предложен и реализован метод прямого определения толщины «мёртвого слоя» в полупро-водниковой наноструктуре GaAs/AlGaAs. Экспериментально обнаружен аномальный рост ве-личины Зеемановского расщепления поляритонных мод в толстом слое GaAs с увеличением номера моды. Предложен и реализован способ латеральной локализации носителей в GaAs квантовой яме с помощью мозаичного электрода, нанесенного на поверхность образца. Разработана теория, позволяющая дать полное описание экспериментов по наблюдению эффектов эллиптичности и вращения Фарадея и Керра на разных типах полупроводниковых наноструктур. С использованием указанных методов исследована динамика спиновой коге-рентности и определены времена спиновой релаксации электронов и дырок в n-легированных GaInAs/GaAs квантовых ямах. Для n-легированных квантовых точек определены времена нарастания и распада продоль-ной и поперечной компонент динамической ядерной поляризации как функция магнитног