На _1_ этапе, в соответствии с требованиям задания получены следующие результаты: Выполнено прямое измерение толщины «мёртвого слоя» для GaAs, в гетероструктуре GaAs/AlGaAs. Проведено сопоставление полученных в эксперименте значений ширины мертвого слоя с результатами теоретических предсказаний различных авторов и с ранее полученными значениями для того же материала, граничащего с внешней средой. Определены колебательные частоты изомеров и энергии изомеризации в ряде систем с изомерией связывания и выяснены факторы, влияющие на эти параметры. Анализ полученных ранее и новых экспериментальных данных на основе электростатической модели позволил определить условия проявления изомерии связывания и выбрать объекты дальнейших исследований. Методом стационарной, ограниченной по спину теории функционала плотности проведены неэмпирические квантово-химические расчеты геометрии и электронной структуры полупроводниковых нанокластеров Ti8O16 и Ti8O15. Предложенная модель реакции и вычисленные свойства нанокластеров хорошо