НЕЗАПОЛНЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ СОСТОЯНИЯ ПЛЕНКИ ОЛИГОМЕРА КВАТЕРФЕНИЛА И ЕЕ ИНТЕРФЕЙСА С ПОВЕРХНОСТЯМИ ЗОЛОТА И ОКИСЛЕННОГО КРЕМНИЯ

Standard

НЕЗАПОЛНЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ СОСТОЯНИЯ ПЛЕНКИ ОЛИГОМЕРА КВАТЕРФЕНИЛА И ЕЕ ИНТЕРФЕЙСА С ПОВЕРХНОСТЯМИ ЗОЛОТА И ОКИСЛЕННОГО КРЕМНИЯ. / Комолов, А.С.

In: ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ, No. 3, 2006, p. 70-74.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

BibTeX

@article{3bc6f6e03fb446f891ca1e8cba80c455,

title = "НЕЗАПОЛНЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ СОСТОЯНИЯ ПЛЕНКИ ОЛИГОМЕРА КВАТЕРФЕНИЛА И ЕЕ ИНТЕРФЕЙСА С ПОВЕРХНОСТЯМИ ЗОЛОТА И ОКИСЛЕННОГО КРЕМНИЯ",

abstract = "Тонкие пленки 4-кватерфенила (4-QP) осаждались термически в условиях высокого вакуума на поверхности поликристаллического золота и окисленного кремния. Структура незаполненных электронных состояний, расположенных 5-20 eV выше уровня Ферми (Ер), и потенциал поверхности регистрировались в процессе осаждения пленки посредством падающего пучка низкоэнергетических электронов в соответствии с методом спектроскопии полного тока (TCS). Электронная работа выхода поверхности изменялась за счет изменения состава поверхностного слоя в процессе нанесения пленок и достигла стабильного значения 4.3±0.1eV при толщине 4-QP пленок 8- 10nm. Плотность валентных электронных состояний (DOS) и плотность незаполненных электронных состояний (DOUS) были рассчитаны для модельных пленок 4-QP с помощью метода присоединенных плоских волн (LAPW) в приближении обобщенного градиента (GGA) теории функционала плотности (DFT). В модельной структуре 4-QP минимальное рас",

author = "А.С. Комолов",

year = "2006",

language = "русский",

pages = "70--74",

journal = "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ",

issn = "0044-4642",

publisher = "ФТИ им.Иоффе",

number = "3",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - НЕЗАПОЛНЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ СОСТОЯНИЯ ПЛЕНКИ ОЛИГОМЕРА КВАТЕРФЕНИЛА И ЕЕ ИНТЕРФЕЙСА С ПОВЕРХНОСТЯМИ ЗОЛОТА И ОКИСЛЕННОГО КРЕМНИЯ

AU - Комолов, А.С.

PY - 2006

Y1 - 2006

N2 - Тонкие пленки 4-кватерфенила (4-QP) осаждались термически в условиях высокого вакуума на поверхности поликристаллического золота и окисленного кремния. Структура незаполненных электронных состояний, расположенных 5-20 eV выше уровня Ферми (Ер), и потенциал поверхности регистрировались в процессе осаждения пленки посредством падающего пучка низкоэнергетических электронов в соответствии с методом спектроскопии полного тока (TCS). Электронная работа выхода поверхности изменялась за счет изменения состава поверхностного слоя в процессе нанесения пленок и достигла стабильного значения 4.3±0.1eV при толщине 4-QP пленок 8- 10nm. Плотность валентных электронных состояний (DOS) и плотность незаполненных электронных состояний (DOUS) были рассчитаны для модельных пленок 4-QP с помощью метода присоединенных плоских волн (LAPW) в приближении обобщенного градиента (GGA) теории функционала плотности (DFT). В модельной структуре 4-QP минимальное рас

AB - Тонкие пленки 4-кватерфенила (4-QP) осаждались термически в условиях высокого вакуума на поверхности поликристаллического золота и окисленного кремния. Структура незаполненных электронных состояний, расположенных 5-20 eV выше уровня Ферми (Ер), и потенциал поверхности регистрировались в процессе осаждения пленки посредством падающего пучка низкоэнергетических электронов в соответствии с методом спектроскопии полного тока (TCS). Электронная работа выхода поверхности изменялась за счет изменения состава поверхностного слоя в процессе нанесения пленок и достигла стабильного значения 4.3±0.1eV при толщине 4-QP пленок 8- 10nm. Плотность валентных электронных состояний (DOS) и плотность незаполненных электронных состояний (DOUS) были рассчитаны для модельных пленок 4-QP с помощью метода присоединенных плоских волн (LAPW) в приближении обобщенного градиента (GGA) теории функционала плотности (DFT). В модельной структуре 4-QP минимальное рас

M3 - статья

SP - 70

EP - 74

JO - ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ

JF - ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ

SN - 0044-4642

IS - 3

ER -

ID: 5054229