Приведены результаты серии измерений высоты наностолбиков углерода, образующихся при осаждении остаточных углеводородов на поверхности пирографита сфокусированным электронным пучком в РЭМ. Высокая начальная скорость вертикального роста столбиков объяснена доминирующей ролью поверхностной диффузии в притоке молекул к облучаемому участку. Показано, что прогрессирующее загрязнение подложки на расстояниях до нескольких микрометров от точки падения первичного пучка приводит к замедлению роста, а при длительном облучении – к испарению столбиков