В интервале температур T = 5–300 K исследованы спектры фотолюминесценции (ФЛ) - и, отражения и возбуждения ФЛ (ВФЛ) гетероструктуры CdTe/Cd0.65Mg0.35Te, содержащей четыре квантовые ямы (КЯ) CdTe толщиной 10.2, 5.1, 2.6 и 1.3 nm, которые разделены ба-рьерами Cd0.65Mg0.35Te толщиной 20 nm. При надбарьерном возбуждении в спектре ФЛ при T = 5 K детектируется четыре полосы, соответствующие рекомбинации экситонов в этих КЯ. Установлено, что с ростом температуры усиливается перенос энергии между соседними КЯ, имеющий активационный характер. Степень связанности электронных состояний двух соседних КЯ убывает с увеличением их толщины. Проведена оценка связанности экситонных состояний соседних КЯ и сделан вывод о том, что перенос энергии может происходить посредством фёрстеровского диполь-дипольного взаимодействия или через состояния реальных или виртуальных фотонов.